【摘 要】
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半导体光催化剂的表面原子结构、排布和对称性直接决定了半导体的电子能带结构、表面能、表面活性位点,最终影响其光催化性能(LiuG等,2011).理论计算表明锐钛矿的{001}、{010}和{101}晶面的表面自由能分别为0.90、0.53、0.44J/m2(Xu等,2013),在晶体生长过程中,表面自由能越大的晶面形成和消失得越快,而具有高比例低对称原子结构的晶面则能表现更高的催化活性.本研究以钛酸
【机 构】
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西南科技大学,四川绵阳621010
【出 处】
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中国矿物岩石地球化学学会第九次全国会员代表大会暨第16届学术年会
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半导体光催化剂的表面原子结构、排布和对称性直接决定了半导体的电子能带结构、表面能、表面活性位点,最终影响其光催化性能(LiuG等,2011).理论计算表明锐钛矿的{001}、{010}和{101}晶面的表面自由能分别为0.90、0.53、0.44J/m2(Xu等,2013),在晶体生长过程中,表面自由能越大的晶面形成和消失得越快,而具有高比例低对称原子结构的晶面则能表现更高的催化活性.本研究以钛酸四丁酯为钛源，氢氟酸、磷酸、异丙醇、EDTA等为晶面导向剂，水热合成了不同晶面暴露的锐钛矿，并对其光催化降解甲基橙和还原Cr6+进行了研究。
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