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该文对ＨＯＰＧ经过Ｈ〈，２〉ＳＯ〈，４〉、ＨＮＯ〈，３〉和ＨＣｌＯ〈，４〉插、脱层后的石墨残余层间化合物（ＲＧＩＣ）进行了ＳＥＭ和ＸＲＤ的分析。实验表明，随着无机酸插、脱层次数的增多ＨＰＯＧ的层状结构将完全破坏。
石墨在无机酸中电化学插、脱层的可逆性
【摘 要】
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该文对ＨＯＰＧ经过Ｈ〈，２〉ＳＯ〈，４〉、ＨＮＯ〈，３〉和ＨＣｌＯ〈，４〉插、脱层后的石墨残余层间化合物（ＲＧＩＣ）进行了ＳＥＭ和ＸＲＤ的分析。实验表明，随着无机酸插、脱层次数的增多ＨＰＯＧ的层状结构将完全破坏。
【机 构】
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湖南大学新型炭材料研究所
【出 处】
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第17届炭-石墨材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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