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SRAM存储器是处理器中指令/数据缓存的基础。处理器性能与其存储密度、访问速度密切相关。本文介绍了一种SRAM存储器设计方法,并提出了一种改进型的电压灵敏放大器以及对应的读写电路。以40Kb存储块的设计为实例,仿真数据显示,基于主流的超深亚微米工艺,该存储器的工作频率在4GHz以上。