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C,60在Si上形成的H3C-SiC(111)表面再构的STM研究
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室(上海)香港科技大学物理系中国科学院物理研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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1999年10期
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