Giant stacking orders induced by domain boundaries in bilayer MoSe2

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dark_hu
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  Transition metal dichalcogenides(TMDs) is emerging as a new big group of two-dimensional material and attracts extensive research interest in materials science due to their specific electronic,optoelectronic and valleytronic4 properties.Recently molecular beam epitaxial(MBE) growth of MoS2 and MoSe2 has turned out to be an effective way for their scalable synthesis.But meanwhile interestingly it yields novel dense domain boundaries in the 2D sublattice which introduce metallic midgap state into the electronic structure,remarkably promoting the TMDs d-band catalysis in hydrodesulfurization(HDS) and hydrogen evolution reaction(HER).
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