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该文采用ＰＣＳ／ＤＶＢ体系，通过浸渍－裂解法制备Ｃ／ＳｉＣ材料，重点研究了浸渍工艺中压力对浸渍效率的影响。结果表明，提高压力可提高浸渍试样的极限密度，常压浸渍／裂解至１．７１ｇ／ｃｍ＜’３＞增强已非常困难，提高压力后可增密到１．８９ｇ／ｃｍ＜’３＞，最高可达２．０５ｇ／ｃｍ＜，３＞，弯曲强度和断裂韧性分别达到５１１ＭＰＡ和１５．１９ＭＰａ·ｍ＜’１／２＞，相比于常压裂解，性能大为提高。