【摘 要】
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利用基于密度泛函理论(DFT)的计算方法研究了层间F…F相互作用对双层BN纳米片能带结构的影响.计算结果表明氟化的单层BN是一种直接带隙的半导体(能隙为3.37eV).相对于未经氟
【机 构】
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南开大学新能源材料化学研究所分子科学计算中心,天津,300071
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利用基于密度泛函理论(DFT)的计算方法研究了层间F…F相互作用对双层BN纳米片能带结构的影响.计算结果表明氟化的单层BN是一种直接带隙的半导体(能隙为3.37eV).相对于未经氟化的单层BN而言(能隙为4.5eV),氟化在一定程度上可以降低BN的能隙.对于氟化的双层BN,BN层之间采取交错式的B-F…F-B或N-F…F-N构型比重叠式的B-F…F-N构型要更为稳定.重叠式的构型由于存在层间电荷转移,能进一步降低BN的能隙(能隙为2.51eV),面对于交错式构型,层间没有电荷转移发生,因而能隙的改变很小(B-F…F-B;3.28eV;N-F…F-N;3.12eV).
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