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采用射频磁控溅射沉积方法，加热衬底上溅射制得高价态的五氧化二钒(V2O5)薄膜，结合气氛退火工艺制备VO2薄膜。系统分析了不同溅射工艺参数和退火工艺参数对VO2薄膜结构与光电性能的影响。得到制备VO2薄膜的最佳工艺参数。
VO<,2>功能薄膜的制备工艺研究
【摘 要】
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采用射频磁控溅射沉积方法，加热衬底上溅射制得高价态的五氧化二钒(V2O5)薄膜，结合气氛退火工艺制备VO2薄膜。系统分析了不同溅射工艺参数和退火工艺参数对VO2薄膜结构与光电性
【机 构】
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广州市光机电技术研究院 广东省现代控制与光机电技术公共实验室 广东 广州 510635
【出 处】
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07中国(华南地区)真空与光电技术论坛暨广东省真空学会学术年会
【发表日期】
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2007年期
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