ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，同GaN一样，是一种直接带隙宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37 eV。ZnO激子结合能为60 meV，是GaN(25 meV)的2倍多，可以实现室温和高温下高效的激子复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。与GaN相比，ZnO在应用方面还具有很多明显的优势，如：原料丰富，价格低廉；有商用体单晶，可以进行同质外延；成膜性能好，外延生长温度低；纳米形态丰富多彩，制备简单；易于刻蚀，器件加工成本低：电子诱生缺陷低，抗辐射性能好；是一种环境友好材料，生物兼容性好。因此，ZnO用于制备IASD、LD和探测器等光电器件，在固体发光、白光照明、全色显示、光信息存储等节能与通讯领域拥有广阔的应用前景，蕴藏着巨大的经济价值。 本课题组自1986年起开始ZnO半导体材料及应用研究，是国内ZnO研究的开拓者，国际上最早开展半导体ZnO研究课题组之一，已在ZnO领域取得一系列创新成果。