【摘 要】
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着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN薄膜制备过程中各种工艺参数(射频功率、衬底负偏压和衬底温度等)对薄膜结构和特性的影响.采用本技术制备CN薄
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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着重研究了采用热丝辅助等离子体化学气相沉积+负偏压技术,在CN<,x>薄膜制备过程中各种工艺参数(射频功率、衬底负偏压和衬底温度等)对薄膜结构和特性的影响.采用本技术制备CN<,x>薄膜的最佳条件是:衬底温度500～600℃,反应气体总气压110Pa,CH<,4>与N<,2>的流量比为1:5.5,衬底负偏压为-200V,热丝温度1200℃,射频功率200W.
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