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碳化硅是一种极其重要的半导体材料，具有击穿电压高、介电常数小等优点，在众多领域有广泛应用。低维碳化硅纳米结构由于量子尺寸效应，使其具有更独特的性质，从而在功能纳米器件、纳米传感器等方面有潜在的应用。本文利用第一性原理计算，采用GGA-PW91泛函和PAW赝势基组研究了全氢化和部分氢化的一维SiC纳米条带的几何结构、电学和磁学性质。