GD06-024目标激光距离多普勒成像研究

来源 :第10届全国光电技术学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Final_believe
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  本文根据粗糙目标脉冲波束散射理论和激光雷达方程,提出了目标激光脉冲后向散射回波功率的一维和二维距离像,以及目标激光多普勒谱和目标激光距离多普勒谱分析模型。首先通过板和圆锥的激光一维距离像的原理性实验测量,验证目标激光一维距离像理论与数值方法的正确性。其次依据目标的结合结构特点,给出了简单体、凸二次回转体的解析解的激光一维距离像表达式和任意体面元法的激光一维距离像表达式。数值仿真研究了空间目标球、板、圆锥、三锥体和飞机、坦克等目标的激光一维距离像,并说明了不同目标的激光一维距离像的特点。仿真中还发现目标形状、姿态、表面材料、发射脉冲宽度、波束形状等众多因素都对激光一维距离像有影响,分别就上述因素分析了影响规律,发现脉冲宽度越窄,目标激光一维距离像成像质量越好,不同姿态目标对应特定的激光一维距离像,不同的表面材料也对应不同的的激光一维距离像,高斯波束和平面波束成像也有差异。第三,对目标的激光二维距离像,仿真计算了三锥体、锥球组合体和坦克的激光二维距离像,对应激光一维距离像分析了各个距离上激光二维距离像,并仿真了地物背景下的目标激光二维距离像,一茂密树下沙地上一坦克作为仿真背景,从被遮蔽、无法看到目标的入射角度,经仿真计算得到了其三维成像图,实现了对隐藏目标的成像仿真。最后,对转动凸二次回转体的后向散射多普勒谱,距离多普勒谱和距离多普勒像分别进行了模拟计算。数值仿真了四种典型凸二次回转体在不同姿态下的多普勒谱、距离多普勒谱和距离多普勒像。实现了根据目标距离多普勒像获得目标转动速度信息。
其他文献
随着国民经济的不断发展,经编制品在国计民生中已不再只是遮体保暖。经编等纺织专业科学界,已经向保健功能方面大量研究,取得了较好成果。本文着重介绍了某公司开发的具有抗菌、远红外发射、负离子发射、保健功能的多功能保健纤维,其为国内外创新产品。
本文结合编制《FZ/T73023-2006抗菌针织品》行业标准的过程,简要说明了国内外纺织品抗菌性能的测试方法及抗菌纺织品的安全性要求;围绕维护人体皮肤微生态平衡的要求,简要介绍了确定标准相关参数的依据;最后,简要阐明了该标准的先进性及创新性。
文章简述了煤气生产化验分析项目的概况,分析了煤气生产过程中,化验分析指标对煤气发生炉炉况的分析以及操作参数调整的依据和指导。在煤气生产过程中,对煤气成分进行及时的化验分析,对气化用煤的物理化学特性进行分析,可以有效的指导煤气站操作管理人员,操作管理煤气发生炉,使其运行在最佳状态,使其经济性在最佳状态,以提高企业的经济效益,使企业的产品更加具有市场竞争力。
本文介绍了利用表面流场模拟技术开展的实验研究工作,通过金属平板背表面温升历程测量分析研究了切向气流加载下30CrMnSiNiA钢的激光辐照响应。实验中通过调节辐照功率密度和辐照时间控制表面固相、液相状态,利用空气、氮气对比研究了氧化效应,在激光辐照致表面发生熔蚀后,研究了低亚音速到高亚音速范围内厚板背表面温升随气流变化的规律,给出了氧化、对流换热、剥蚀冲刷的综合结果。
上海技术物理研究所已完成了第二代256×256高帧频电阻阵列和第三代128×128高占空比电阻阵列的制造并于近期对两种器件进行了主要性能测试和红外场景投射演示.256×256电阻阵列的占空比达到15%,有效像素率达到99.9%以上,最高中波红外表观温度310℃,最高长波红外表观温度215℃,最大温度非均匀性小于12%,辐射上升时间4ms,辐射下降时间1.6ms,器件帧频达到200Hz.128×12
本文主要介绍了近年来高功率半导体激光合束技术及应用的新进展,概述了作者在该领域所做的一些工作,展望了高功率  的发展趋势。作者至2002年以来一直开展高功率半导体激光合束技术的研究,研制出2600W半导体激光直接输出光源、1000W光纤输出半导体激光源以及光束质量为12.5 x 14[mm.mrad]2的1000W连续输出半导体激光源等,应用于激光医疗、激光加工及国防等领域。以激光合束技术为基础的
新型基频DPL基于大功率LD侧面泵浦Nd:YAG晶体,通过精密谱线选择技术及低增益激光高效放大实现高功率、高光束质量1.1μm激光产生,再通过非线性光学晶体LBO及CBO晶体实现高效率二倍频及四倍频激光产生。首次在理论及实验上研究了利用CBO晶体获得1.1μm波段Nd:YAG激光的四次谐波输出性能,理论上证实了CBO晶体实现高功率短波紫外激光的可行性,前期实验己经获得了1.5W 278 nm及1.
本文将分别介绍本课题组在2.0μm波段掺饪超短脉冲(飞秒、皮秒)光纤激光器、连续光纤激光器以及宽带超荧光光源等方面的研究工作。1)采用半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为可饱和吸收体、自制的1550 nm掺饵光纤激光器作为泵浦源,实现了平均输出功率为50 mW,脉冲宽度为907 fs的被动锁模激光脉冲输出,最高单脉冲能量为0.94 nJ,峰值功率为1036 W,激光中心波长为1939.5 nm 。
InAs/Ga(In)Sb Ⅱ类超晶格材料因为特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能.因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料.本文对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研
本文通过具有亚皮秒脉宽,峰值电场大于200kV/cm的强太赫兹脉冲,在无偏压的均匀n型掺杂Si, GaAs等半导体介质中激励出如图1所示的纳秒脉冲宽度、GHz波段的瞬态低频整流电流,该电流幅度随应用的太赫兹电场强度增大而呈现出指数增大趋势。另外,观察到的太赫兹光生电流方向和太赫兹偏振方向一致。并且太赫兹波形相位变换180度或振荡方向翻转,太赫兹光致电流的正负极性随之变化。初步的理论和实验分析显示,