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近年来，我们对ZnO、SnO2、WO3、CuO等氧化物半导体一维纳米结构的输运特性进行了研究。研究表明，纳米线的输运特性受肖特基势垒的控制，纳米线的表面态是形成肖特基势垒的关键因素[1]。研究中，我们提出了势垒的二维势垒结构模型[2]。发展了电化学沉积、UV光照等调控纳米线的表面态和势垒输运特性的有效方法[3]。通过利用纳米线肖特基势垒，发展了一些高性能的光电器件，例如：具有高灵敏度、快速回复特性的紫外光检测器[4]，在室温下具有超高灵敏度的气敏传感器等。