【摘 要】
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以MgO-Al2O3-SiO2(MAS)体系作为烧结助剂，采用无压烧结，通过控制烧结工艺，制备出具有不同晶相组成的Si3N4陶瓷。研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响。借助XRD、S
【机 构】
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陕西科技大学，陕西西安 710021
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以MgO-Al2O3-SiO2(MAS)体系作为烧结助剂，采用无压烧结，通过控制烧结工艺，制备出具有不同晶相组成的Si3N4陶瓷。研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响。借助XRD、SEM对Si3N4陶瓷微观组织进行了研究。结果表明：在烧结过程中，有中间相Si2N2O产生；经1850℃、0.5h烧结，α-Si3N4全部转变为具有较大长径比，显微结构均匀的长柱状β-Si3N4晶粒：Al3+和O2-能够进入β-Si3N4晶体内形成β-Si6-xAlxOxN8-x固溶体，使晶体内部产生较大的空隙或晶格畸变，在外电场作用下，易于产生离子位移极化，导致介电常数升高；同时，随着烧结温度的提高，存在于晶界的玻璃相含量增加，试样的介电常数随之升高。
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