【摘 要】
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本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质.用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线
【机 构】
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四川大学材料科学与工程学院,四川,成都,610064
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本文研究用于太阳电池的AlSb多晶薄膜的性质.用几何靶磁控溅射方法在石英玻璃衬底上沉积了约460nm厚的AlSb薄膜,然后在580-650℃的温度下进行了1个小时的真空退火处理。X射线衍射谱显示退火后的AlSb多晶薄膜为闪锌矿结构,平均晶粒尺寸约31nm.Hall效应测试结果表明薄膜为P型半导体。用原子力显微镜观察到薄膜的表面平整。通过紫外-可见光透射谱计算得到其间接禁带宽度为1.53eV。实验结果说明了用简单方法制备AlSb多晶薄膜的的可行性和其在太阳电池中的应用潜力。
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