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介绍了具有自主知识产权的微波低噪声锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)，给出了器件的基本结构及它的基本工艺流程。通过对集电区埋层、外延浓度和厚度，选择性离子注入、锗硅外延厚度、硅、锗、硼的相互位置、发射极窗口介质选择、发射极多晶硅生长条件等的优化，可得到优异的器件直流和射频性能，并得到超过98％的成品率。本产品应用于2 GHz频率的低噪声放大器，已经进入批量生产。