SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究，如微管，位错等[1]。在掺N的6H的SiC晶体中发现一种类似平面六方空洞的缺陷，该缺陷为绿色斑点，因此将6H导电晶片上呈规则形状的且较其他区域明显偏绿的斑点称为绿斑[1]。本文通过系统研究发现：在Si面，绿斑是规则六边形，其边垂直于[10-10]方向，且边上有不同数目的黑点；纵切面观察黑点都在绿斑生长后期，沿着生长方向黑点的逐渐变小，加工后发现黑点是一个空洞；晶体表面的凹坑与绿斑关系密切；SIMS结果表明绿斑处的掺N量高于正常区域；统计结果表明，绿斑随晶体生长的进行而逐渐增多，绿斑多出现在晶片的边缘；C面生长6H晶体绿斑仅有Si面生长的1/5左右。最后提出了绿斑的形成机理，认为富C气氛导致晶体表面出现凹坑，而绿斑则是凹坑形成愈合过程的轨迹[2]。