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针对P型DMOS生产过程中出现的击穿电压不稳定的问题，本文经过分析，发现其主要是受背丽浓硼衬底在高温推阱时硼扩散对产品片JFET区域杂质浓度的影响。对于背面杂质扩散的影响，分析了其产生的原因，提出了改变外延片背封规格，增加JFET注入前掩蔽氧化层，在场氧前增加背面层次等可行的解决方法。
P型DMOS工艺背面杂质影响与解决方法
【摘 要】
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针对P型DMOS生产过程中出现的击穿电压不稳定的问题，本文经过分析，发现其主要是受背丽浓硼衬底在高温推阱时硼扩散对产品片JFET区域杂质浓度的影响。对于背面杂质扩散的影响，分
【机 构】
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华润上华科技有限公司
【出 处】
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中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛
【发表日期】
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2009年期
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