对于大功率半导体激光器,利用矢量瑞利衍射积分公式,推导了描述其光波传播特性的非傍轴矢量场模型,数值计算了大功率半导体激光器光束的远场光强分布和发散角特性,并与标量非傍轴理论进行了比较.基于偏轴高斯光束模型讨论了bar型半导体激光器的远场光分布特性,深入探讨了bar型激光器的远场分布,给出bar型和stack型半导体激光器的远场光强分布模型及数值仿真结果.结论表明1.大功率半导体激光器的矢量光场和标量光场的光强分布和远场发散角都有一定差异,光强误差随光波的传输距离的增加而减小,随着垂直于结方向的坐标的增大,误差也增大：发散角误差与波导结构参数有关.2.在距发光面较近处,各emitter辐射的光斑呈分离状；随着距离增加,各光斑开始交叠,甚至出现平顶；当距离足够远,bar型和stack型半导体激光器的远场光斑与单个emitter的辐射光斑几乎没有差异.该模型为定量描述bar型和stack型大功率半导体激光器的远场分布、合理设计光学整形系统以及正确评价光束质量提供了重要依据.3.该模型同时考虑了激光二极管垂直于和平行于结平面大发散角光束的传输特性,对单emitter、bar和stack型大功率半导体激光器进行了模拟仿真,与理论分析结果相吻合.并对几种高功率半导体激光器的一些缺陷,例如不发光点、smile效应进行了分析.