Co2FeSi薄膜的电输运性质

来源 :第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dfl_peng

【摘要】

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半金属是自旋电子学应用中最重要的一类材料,其100％的自旋极化率为自旋电子器件设计提供了极大的便利.Co2FeSi半金属哈斯勒合金薄膜由于其理论上100％的自旋极化率成为了自旋注

【作者】

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黄秀峰黄琳鲁广铎杨磊朴红光潘礼庆

【机构】

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三峡大学理学院磁电子与纳磁探测研究所,湖北宜昌443002

【出处】

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第八届全国磁性薄膜与纳米磁学会议

【发表日期】

：

2014年12期

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半金属是自旋电子学应用中最重要的一类材料,其100％的自旋极化率为自旋电子器件设计提供了极大的便利.Co2FeSi半金属哈斯勒合金薄膜由于其理论上100％的自旋极化率成为了自旋注入源材料的选择之一,对其结构和物性的研究很有必要.我们用直流磁控溅射的方法在单晶硅薄膜上制备了100nm的Co2FeSi薄膜.XRD结果表明这层薄膜为非晶结构.利用PPMS测量了不同温度下膜的电输运性质.

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