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用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质，半导体激光器作泵浦源，制作出了垂直外腔面发射半导体激光器，得到了中心波长1005nm、输出功率40mW 的激光，光－光转换效率2.7﹪。
新型激光器－光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
【摘 要】
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用量子阱技术生长的半导体材料作激光增益介质，半导体激光器作泵浦源，制作出了垂直外腔面发射半导体激光器，得到了中心波长1005nm、输出功率40mW 的激光，光－光转换效率2.7﹪。
【机 构】
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北京工业大学应用数理学院光学国家重点实验室,北京,100022
【出 处】
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中国光学学会2004年学术大会
【发表日期】
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2004年期
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