【摘 要】
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目的：通过扫描电镜观察半导体激光美白和冷光美白时牙釉质脱矿情况及使用氟保护剂后的再矿化情况。方法：选取因正畸拔除的新鲜前磨牙,分为正常组(A组)、半导体激光美白组(B
【出 处】
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中华口腔医学会牙体牙髓病学专业委员会第五次全国牙体牙髓病学临床学术研讨会
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目的：通过扫描电镜观察半导体激光美白和冷光美白时牙釉质脱矿情况及使用氟保护剂后的再矿化情况。方法：选取因正畸拔除的新鲜前磨牙,分为正常组(A组)、半导体激光美白组(B组)、冷光美白组(C组)、半导体激光美白再矿化组(D组)、冷光美白再矿化组(E组)；B组以35％的过氧化脲凝胶涂布牙釉质、半导体激光中的7W、20HZ、30S、1/2间断频率照射,C组为B组处理后牙釉质表面涂布氟保护剂静置5分钟；D组以35％的过氧化脲凝胶涂布牙釉质、冷光照射25分钟,E组为D组处理后牙釉质表面涂布氟保护剂静置5分钟；各组分别置于扫描电镜下观察。结果：B组可见牙釉质少量脱矿、部分牙釉质呈熔融状态；C组可见脱敏剂分布平坦、脱落较少；D组可见牙釉质较多部分脱矿；E组可见脱敏剂有脱落、部分有裂痕。结论：半导体激光美白由于时间短和激光的高热效应,可以减少牙釉质的脱矿现象；同时因为半导体激光对牙釉质的良好处理,可以更好的保留住术后脱敏剂,减少牙齿美白后敏感的发生。
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