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有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistor,OFET)作为非常有发展潜力的下一代气体传感器的载体,近年来,其研究热点集中在如何提高器件的敏感特性,大多通过调控活性层厚度、引入功能化受体和优化器件几何结构来实现[1],但是,从界面调控出发研究其对器件气敏特性影响的报道,还相对较少。