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本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二维生长的控制等MOVPE各项工艺摸索,掌握了较高质量AlN和高Al组分AlGaN外延生长技术,己制备出厚度超过1000nm不开裂、表面较粗糙度小于1nm的外延片。外延生长了完整结构深紫外LED实现了主波长从213nm到300nm电致发光。