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本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为200℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为2.5×10-4Ω·cm、可见光波段(360～750nm)透过率为88.5﹪,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.
衬底温度对氧化铟锡薄膜性能的影响
【摘 要】
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本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为200℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
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第九届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2006年期
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