【摘 要】
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采用超声喷涂热解淀积方法将SnO:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响,确定了制备SnO:F薄膜加热管的最佳工艺条件.该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10Ω·cm,可见光透过率高于90﹪,功率密
【机 构】
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西安理工大学理学院应用物理系(陕西西安)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
采用超声喷涂热解淀积方法将SnO<,2>:F透明导电薄膜制备于耐高温的硼硅玻璃管内壁.XRD物相分析及SEM、STM形貌分析表明,SnO<,2>:F薄膜为多晶结构,平均粒径50nm.分析了薄膜中F取代SnO<,2>中O的形成过程和薄膜电导率增强的机理,解释了不同的工艺条件对薄膜的结构、光电特性的影响,确定了制备SnO<,2>:F薄膜加热管的最佳工艺条件.该条件下制备的薄膜的电阻率达4×10<-4>Ω·cm,可见光透过率高于90﹪,功率密度平均可达35W/cm<2>.
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