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通过第一性原理(GGA+U)对氧化亚铜和氮掺杂氧化亚铜进行了理论研究,主要研究了U值对材料能带结构以及氮掺杂浓度对材料光电特性的影响.结果表明氮掺杂可以在氧化亚铜的带隙中引入一个半满的中间带.
通过热蒸发制备出具有高度取向性的氧化亚铜薄膜，通过离子注入方法对薄膜进行氮掺杂，并通过脉冲激光熔融和快热退火对掺杂后的薄膜进行了后处理。当掺杂浓度足够高时，氧化亚铜的禁带中有明显的吸收峰出现，成功的拓宽了材料的吸收谱，吸收峰的出现可能和材料中形成了中间带有关，有可能用于制备中间带太阳电池.