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使用转移矩阵方法计算了GaN/C60多层膜一维光子晶体的带隙结构.计算结果表明由厚度分别为21nm、49nm的GaN、C60薄膜组成的多层膜结构在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达64.3％.
GaN/C60多层膜结构及光学特性的理论分析
【摘 要】
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使用转移矩阵方法计算了GaN/C60多层膜一维光子晶体的带隙结构.计算结果表明由厚度分别为21nm、49nm的GaN、C60薄膜组成的多层膜结构在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子带
【机 构】
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太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024
【出 处】
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国际材料科学与工程学术研讨会
【发表日期】
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2005年期
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