P型ZnO薄膜的磷扩散制备与表征

来源 :2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dapeng0429

【摘要】

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应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形

【作者】

：

丁瑞钦;朱慧群;王忆;

【机构】

：

五邑大学,薄膜与纳米材料研究所,广东,江门,529020

【出处】

：

2006第五届中国(国际)纳米科技西安研讨会

【发表日期】

：

2006年期

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应用射频磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散,使ZnO薄膜从本征n型转化为p型.接着,在此p型ZnO薄膜上沉积本征n型ZnO,形成了同质ZnO p-n结.X射线衍射、光致荧光光谱的试验结果表明,P型ZnO薄膜的晶体呈六方纤锌矿结构,且高度C轴取向、近带隙(3.28eV)紫外发射相当强.异质和同质p-n结的明显电学整流特性确认了p型ZnO薄膜的形成.

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