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利用金属有机气相化学外延(MOCVD)方法，在图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长低位错密度的GaN外延层。生长完成后，利用原子力显微镜(AFM)、双晶X射线衍射仪(XRD)、光致荧光谱(PL)对GaN样品进行表征。AFM照片显示PSS衬底上的GaN外延层已经侧向相连成平整的表面，均方根(RMS)粗糙度为0.24nm，PL结果显示GaN本征峰的强度得到有效提高。利用XRD对PSS衬底上的GaN进行(0002)和(1012)面的摇摆曲线扫描，其半高宽(FWHM)分别为264arcsec和287arcsec，相应螺位错和刃位错密度分别估算为3.3×107cm-2和2.8×108cm-2。