等离子体工艺对MOS器件的损伤

来源 :中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jayzhoujian

【摘要】

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目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MO

【作者】

：

唐瑜孟志琴

【机构】

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西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

【出处】

：

中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会

【发表日期】

：

2006年期

【关键词】

：

等离子体深亚微米工艺器件的性能集成电路制造形成机理天线效应膜损伤电学参数栅氧化时代生产措施尺寸

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目前在大规模集成电路制造中,IC生产已经进入超深亚微米工艺时代.随着MOS尺寸的不断缩小,等离子体工艺已经成为主流.等离子体工艺引起的栅氧化膜损伤越来越受重视,它可以使MOS器件的各种电学参数发生变化,从而影响器件的性能.本文讨论了等离子体工艺损伤的形成机理及减少天线效应的几种措施.最后提出了目前有待于进一步研究的问题.

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