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本文对高梯度真空绝缘子结构的设计进行了研究。文章利用有限元软件对不同几何结构、不同外电场情况下的电子轨迹进行模拟.电子轨迹的数值模拟计算表明：设计合理时,HGI中的周期性电场能够抑制电子崩的发展；绝缘层为+450结构时效果更好。
高梯度真空绝缘子结构的模拟设计
【摘 要】
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本文对高梯度真空绝缘子结构的设计进行了研究。文章利用有限元软件对不同几何结构、不同外电场情况下的电子轨迹进行模拟.电子轨迹的数值模拟计算表明：设计合理时,HGI中的周
【机 构】
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国防科技大学光电科学与工程学院,长沙,410073
【出 处】
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第十届高功率粒子束学术交流会
【发表日期】
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2006年期
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