【摘 要】
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GaN自支撑衬底作为氮化物器件理想的同质衬底材料,近年来不仅在制备技术上取得了显著的突破,在产业化生产上也形成了一定的规模。以此为基础,GaN自支撑衬底在蓝绿光激光
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州纳维科技有限公司,苏州215125
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GaN自支撑衬底作为氮化物器件理想的同质衬底材料,近年来不仅在制备技术上取得了显著的突破,在产业化生产上也形成了一定的规模。以此为基础,GaN自支撑衬底在蓝绿光激光器、高电流注入密度发光二极管(LED)器件、高电子迁移率晶体管(HEMT)以及垂直结构功率器件上得到了越来广泛的应用。本文将针对当前GaN自支撑衬底的国内外发展现状、基于GaN衬底的器件发展现状进行综述,然后进一步介绍我们在GaN衬底制备技术上取得的新进展,具体包括：缺陷密度达到104cm-2的GaN自支撑衬底制备,大尺寸(3到4英寸)GaN衬底开发,非极性GaN衬底的制备,在助熔剂以及氨热法生长技术上的探索。在此基础上,本文将进一步介绍苏州纳米所在GaN衬底产业化上的新进展,主要包括面向未来GaN衬底的产能规模和制造成本变化趋势。基于GaN自支撑衬底,我们通过与多家单位合作的方式,针对氮化物相关器件开展了相关的合作研发,本文将进一步介绍最新的器件研发结果。
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