【摘 要】
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本文利用射频磁控溅射法制备了ZnO光电导型紫外探测器并采用SiO2薄膜对ZnO表面进行钝化,研究SiO2钝化层对探测器特性的影响.磁控溅射SiO2薄膜为非晶态,可以在ZnO表面形成致密
【机 构】
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西安交通大学,电子与信息工程学院 西安710049
【出 处】
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第十三届全国敏感元件与传感器学术会议
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本文利用射频磁控溅射法制备了ZnO光电导型紫外探测器并采用SiO2薄膜对ZnO表面进行钝化,研究SiO2钝化层对探测器特性的影响.磁控溅射SiO2薄膜为非晶态,可以在ZnO表面形成致密的覆盖层.光电特性测试结果表明:相比于未钝化器件,SiO2钝化器件的暗电流显著减小,并且对紫外光的响应速度提高,钝化器件的上升时间小于0.2s,下降时间为15s.说明SiO2钝化层能够有效减少ZnO表面的悬挂键和氧空位,从而减小了ZnO薄膜的表面电导并且抑制了ZnO表面发生的氧交换过程,这可能是由于在ZnO-SiO2界面生成了Zn2 SiO4过渡层.SiO2钝化器件的光电流正比于光强的1/2次方.
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