【摘 要】
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为探究TiO2对MgO材料烧结及抗氟化物电解质侵蚀性能的影响,将轻烧氧化镁细粉与不同量的分析纯级别TiO2(0-10wt％)混合均匀,然后将混合粉在120Mpa压力下成型为φ20ram×20mm圆柱
【机 构】
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武汉科技大学材料与冶金学院,武汉,430081
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为探究TiO2对MgO材料烧结及抗氟化物电解质侵蚀性能的影响,将轻烧氧化镁细粉与不同量的分析纯级别TiO2(0-10wt％)混合均匀,然后将混合粉在120Mpa压力下成型为φ20ram×20mm圆柱试样,并在电弧炉中于1400, 1500及1600℃条件下烧结3h.把烧结试样浸泡于熔融氟化物电解质中在900℃条件下做静态侵蚀实验10h.采用阿基米德排水法测量了烧结后各试样的体积密度及显气孔率.利用质量损失法表征静态侵蚀速率.通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜对试验后试样的物相组成及显微结构进行了分析.实验结果表明:添加TiO2能显著地促进MgO的致密化及晶粒生长.TiO2亦明显有利于试样抗侵蚀性能的提高,一部分原因是因为添加TiO2的试样结构更加致密.此外,分布于MgO晶界处的Mg2TiO4具有比MgO更好的抗侵蚀性能,这对提高试样抗侵蚀性能也是有利的.
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