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作者们在一个具有间隔双模的Ge岛的表面上生长了多层的Ge/Si结构。原位的高能电子衍射、原子力显微镜和截面透射电子显微镜被用于对其进行结构分析。发现随着岛的层数增加，发生Stranski-krastanov跃迁的临界厚度变薄，岛的尺寸增加而且变得均匀，岛的间隔也由双模分布变化单模。
自组织生长多层Ge岛的结构分析
【摘 要】
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作者们在一个具有间隔双模的Ge岛的表面上生长了多层的Ge/Si结构。原位的高能电子衍射、原子力显微镜和截面透射电子显微镜被用于对其进行结构分析。发现随着岛的层数增加，发
【机 构】
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集成光电子国家重点实验室,半导体所(北京)
【出 处】
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第七届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2000年期
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