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采用压电陶瓷片在1mm铝板上主动激励和接收Lamb波，并在板上吸附强磁铁模拟缺陷，在激励和接收传感器的连线位置上移动磁铁，研究不同位置的缺陷对S0模态直达波传播的影响。实验结果表明，缺陷的出现使S0模态直达波频谱峰值下降；并且两压电片连线之间的缺陷比延长线上的缺陷对S0模态直达波频谱峰值影响更大；不同位置的缺陷对S0模态直达波频谱峰值影响也不尽相同。