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绝缘栅晶体管(IGBT)在应用巾多涉及感性负载、高压、大电流和高开关速度的脉冲应用。这使它极易因过流、过压、超功耗、高di/dt和高dv/dt造成失效。失效模式有过热、碰撞电离载流子热倍增、雪崩击穿、晶闸管闩锁，以及动态雪崩击穿、动态晶闸管闩锁等。特别是很多情况下失效都不是电的或热的单独作用，往往是电热相互作用的结果。本文的主要内容是针对硬开关电路应用根据国际上已发表的主要研究成果扼要叙述抗失效的IGBT器件设计，也顺便提到在电路使用中需要注意的几个零碎问题。