【摘 要】
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本文详细介绍了808nm锥形半导体激光器的设计制作和器件特性.外延片采用了1.2*1016左右微掺杂、4m波导的大光腔结构.脊形的宽度为4m,脊形的深度为腐蚀至距离波导层0.2 m,
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室
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本文详细介绍了808nm锥形半导体激光器的设计制作和器件特性.外延片采用了1.2*1016左右微掺杂、4m波导的大光腔结构.脊形的宽度为4m,脊形的深度为腐蚀至距离波导层0.2 m,锥形张角为5°,脊形区和锥形区的长度分别为750 m和2500m,脊形区和锥形区的腔面,利用Si/SiO2通过精确光控来分别蒸镀了99％以上和5％的反射膜.为了作对比研究,还在脊形区的腔面采用了95％到98％的反射膜,以及非线性锥形区结构和过滤高阶模的隔离槽结构.在输出功率为1W的情况下得到了各种结构器件的光束质量因子M2.湿法腐蚀制作的脊形区结构的光束质量因子M2=3.86；干法刻蚀脊形区结构的M2=3.14；脊形区的腔面采用了95％的反射膜,同时干法刻蚀脊形区结构的M2=2.87；在上诉结构基础上附有隔离槽和非线性锥形区机构的M2=2.24.
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