硼掺杂金刚石薄膜电极（BDD）具有良好的导电性，是一种良好的电极材料，由于具有电势窗口宽、背景电流小、有机物易吸附、化学和电化学性质稳定、耐腐蚀等优点，其应用潜力很大。BDD电极在废水处理中具有重要地位，例如在苯酚、氰化物、羧酸、四氯苯氧乙酸、焦酚、邻甲苯胺、杀虫剂和染料的处理中已见报导。传统的BDD电极用Si作为基体，但其价格较贵，机械性能较差，限制了它的应用。近年来，Ti基BDD电极（Ti/BDD）被人们所注意，因为Ti具有传导性高、机械强度大、价格较低等特点，但是由于Ti基体和BDD薄膜之间热膨胀系数相差很大，Ti/BDD电极很难制得或者容易损坏。因此，研究Ti/BDD电极的制备方法和条件以及失活机理是目前Ti/BDD电极研究的热点。影响Ti/BDD电极制备的因素很多，其中硼掺杂量是影响金刚石薄膜电极的重要因素。硼掺杂量对Ti/BDD薄膜的表面组成、晶格结构、电化学性能等都有很大影响。本文采用微波等离子体化学气象沉积法（MP-CVD）在Ti基体上沉积掺硼金刚石薄膜电极，主要研究Ti/BDD电极制备过程中硼掺杂量对电极性能的影响。