论文部分内容阅读
介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺，并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论，提出了改善这种外延材料质量的方法。
IGBT硅外延材料工艺研究
【摘 要】
：
介绍了一种使用中频加温外延设备制作IGBT外延材料的工艺，并对这种厚层、异质外延工艺中出现的一系列问题进行了讨论，提出了改善这种外延材料质量的方法。
【机 构】
：
东南大学 电子科学与工程学院 南京国盛电子有限公司,南京 210038
【出 处】
：
第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2007年期
其他文献
随着MOS器件特征尺寸的不断减小，传统上广泛使用的氧化硅介质材料已经不能满足器件性能发展的需要，氧化铝以其介电常数大、绝缘性好、稳定性高等优点被广泛关注。本文建立
通过试验比较P型硅外延片的Hg探针C-V法测量电阻率中，直接测试和HF处理后测试电阻率值的差别，得出了实际应用HF处理P外延片的可行性及条件。
脑卒中已成为导致人类残疾和死亡的主要原因,其发病率逐年上升.目前,脑卒中后患者运动功能的康复方法 以物理治疗为主,但效果不佳.重复经颅磁刺激(rTMS)是一种新型电生理技术
千呼万唤始出来,sony终于开始进入视频mp3的领域了,酝酿了许久的新品NW-A800终于出现了,音频播放时间为30小时,因为体积小巧很多的S系列同样可以达到50小时的播放时间。NW-A8
随着国民经济的发展和人们生活水平的提高，膳食结构的改变，人群的营养状况也发生相应的改变。为了解我厂7～15岁儿童营养水平，指导我厂居民的合理饮食，我们于1995年10月对厂内在校
本文主要介绍功率MOSFET管用N型硅外延材料的生产工艺，通过对HCl气腐、衬底片的加工、外延生长工艺过程等一系列问题进行优化，使外延层杂质分布有了显著改善。
功率MOSFET是一种电压控制型单级晶体管，其有驱动电路简单、驱动功率小、高预特性好等优点。由于功率VDMOS管是由几百到几千个元胞组成的单管，因此必须采用超大规模集成电
半导体器件的性能与载流子浓度的准确控制以及载流子浓度纵向分布有密切的关系。外延层的载流子浓度分布是影响器件电学性能的重要参数，主要有器件的隔离特性、反向击穿电