单层有机发光二极管的场强分布及J-V关系

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:genggeng07
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建立了载流子在单层有机发光二极管中注入、传输和复合的理论模型,通过求解非线性Painleve方程得出了电场强度随坐标变化的解析函数关系式以及电流密度随电压变化关系(即J-V关系).场强分布及J-V关系受载流子迁移率影响较大,在器件中占主导地位的载流子应具有较低的迁移率,这样有利于载流子的注入和传输,发光效率可相应得到提高.
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