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Effect of Injector Doping Density on Device Characteristics of QCLs in CW Operation

来源 :第十届中红外光电子材料与器件国际会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lixuechao0926

【作 者】

：

J.S.Yu S.Slivken M.Razeghi 

【机 构】

：

CenterforQuantumDevices,DepartmentofElectricalEngineeringandComputerScience,NorthwesternUniversity,E

【出 处】

：

第十届中红外光电子材料与器件国际会议

【发表日期】

：

2010年9期

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