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二元氮化物的普适性合成方法及X射线衍射研究

来源 :第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wgy

【摘 要】

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氮化物是在工业上具有广泛用途的一大类材料,其中Ⅲ-V族氮化物AlN具有低热膨胀系数(4.3×10-6K-1)、高热导率(320Wm1K-1)、宽带隙(6.2eV)、高电阻(>1011 m)、低介电常数(8.6)

【作 者】

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宋波 简基康 王刚 许燕萍 陈小龙 

【机 构】

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北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080北京凝聚态物理国家实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;新疆大学物理学院,乌鲁木齐,830046

【出 处】

：

第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

二元氮化物 普适性合成法 X射线衍射 

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氮化物是在工业上具有广泛用途的一大类材料,其中Ⅲ-V族氮化物AlN具有低热膨胀系数(4.3×10-6K-1)、高热导率(320Wm1K-1)、宽带隙(6.2eV)、高电阻(>1011 m)、低介电常数(8.6)等诸多优点,作为衬底材料和包装材料广泛应用于电子电路、紫外光电探测器、压力探测、热辐射探测、场效应晶体管等领域,在军事和民用方面都具有广泛的应用.本文主要就二元氮化物的普适性合成方法及X射线衍射技术进行了论述.

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