【摘 要】
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我们用助熔剂方法生长驰豫铁电单晶的限制,用Bridgman方法在国际上首先生长出了高质量大尺寸PMNT单晶.在表征、研究PMNT单晶性能,及其在高应变驱动器中应用时,我们发现不能期
【机 构】
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高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所(上海)
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我们用助熔剂方法生长驰豫铁电单晶的限制,用Bridgman方法在国际上首先生长出了高质量大尺寸PMNT单晶<[2,3]>.在表征、研究PMNT单晶性能,及其在高应变驱动器中应用时,我们发现不能期望简单地用PMNT替代常用的PZT压电陶瓷材料,使相应器件性能有比较大的突破,而是需要根据该单晶体本身的结构和性能特点,在器件应用中,扬长避短,才能发挥PMNT单晶特别高的场致应变特点.本文主要讨论PMNT单晶场致应变的特点,及其与单晶结构之间关系的一些研究结果.
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