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本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极漏电流,增加了最大饱和沟道电流。同时由于棚介质电容的存在,MOS-HFET器件的跨导gM要比HFET器件减小,即栅压对沟道的控制能力减小,同时阈值电压也向负方向发生移动。为了进一步提高器件性能,应考虑采用更高介电常数的栅介质层材料。