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为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10<13>～5×10<13>cm<-2>的P<+>离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700℃下快速热退火90s。发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm。蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大，并且能量比剂量对蓝移的影响更大。