【摘 要】
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设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21
【出 处】
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第十一届全国激光技术与光电子学学术会议
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设计和生长了2μ m 波段的GaSb 基的AlGaAsSb/InGaSb I 类量子阱激光器.制备了激光器单管以及激光器线列(20 个管芯).单管未镀膜20℃最大功率为889mW,最大能量转换效率21.9％,最大功率处能量转换效率为7.9％.在10℃工作温度时,激光器线列未镀膜时的最大连续光功率为8.56W,最大能量转换效率11.5％,在最大功率处能量转换效率为4.5％.大功率2 微米激光可以作为钬激光器潜在的高效率泵浦源,或者直接用作OPO 晶体的泵浦源.
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