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本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要求的SLD器件.
SLD应变量的X衍射测试及分析
【摘 要】
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本文通过MOCVD生长实验,利用HRXRD测试手段,来了解AlGaInAs体材料有源层的生长特性,从而指导工艺改进,优化工艺生长参数,通过获得最佳的应变量参数,来研制和生产出满足用户要
【机 构】
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中国电子科技集团公司第44研究所,重庆,400060
【出 处】
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帕纳科第12届用户X射线分析仪器技术交流会
【发表日期】
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2012年期
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