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4H-SiC混合PiN/Schottky二极管的一种复合终端结构的研究

来源 :第七届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mscspn

【作 者】

：

黄健华 吕红亮 张玉明 张义门 汤晓燕 陈丰平 宋庆文 

【机 构】

：

西安电子科技大学 微电子学院，宽禁带半导体技术国防重点学科实验室，陕西 西安 710071

【出 处】

：

第七届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2010年期

【关键词】

：

二极管 终端结构 击穿电压 结终端 整流器件 有效缓解 器件设计 偏移 扩展结构 功率器件 掺杂浓度 材料性能 碳化硅 分析表 理想 

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